Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале
: 02 май 2022, 12:56
Обещано улучшение всех показателей
В минувший четверг Samsung заявила, что находится в шаге от начала серийного производства чипов с использованием своего технологического процесса 3GAE (3-нм класс Gate all-round Early). Начать массовый выпуск микросхем компания намерена в третьем квартале и это будут первые решения, где применяются полевые транзисторы с затвором (GAAFET).
Цель начать выпуск таких процессоров продиктована желанием Samsung улучшить технологическое лидерство за счет первого в мире массового производства процесса GAA 3-nano. Техпроцесс 3GAE от Samsung Foundry — это первый технологический процесс компании, где используются транзисторы GAA, которые Samsung официально называет многомостовыми полевыми транзисторами GAAFET.
Samsung официально представила свои узлы 3GAE и 3GAP где-то три года назад. Тогда она заявила, что этот процесс позволит повысить производительность на 30%, уменьшить энергопотребление на 50% и увеличить плотность транзисторов до 80% (включая сочетание логических транзисторов и транзисторов SRAM). Теоретически новые процессоры будут иметь целый ряд преимуществ по сравнению с однокристальными системами, созданными по технологии FinFET.
В GAA-транзисторах каналы предпочли расположить горизонтально и их окружили затворами. Каналы GAA сформированы посредством эпитаксии (наращивание одного кристалла на другом) и селективного удаления материалов, что позволяет разработчикам точно настраивать их, регулируя ширину канала транзистора. Высокая производительность достигается за счет более широких каналов, а более узкие каналы отвечают за низкую производительность. Такая точность уменьшает ток утечки транзистора (т. е. снижает энергопотребление), а также изменчивость характеристик транзистора позволяет вывести изделия на рынок за короткий срок. Кроме того, GAAFET позволить уменьшить площадь кристалла на 20–30%.
На данный момент техпроцесс 3GAE находится на ранней стадии и будет в основном использоваться подразделением Samsung LSI. Возможно, два или три крупных клиента, что позволить использовать новую технологию достаточно широко и мы увидим немало чипов, произведенных с ее помощью.
В минувший четверг Samsung заявила, что находится в шаге от начала серийного производства чипов с использованием своего технологического процесса 3GAE (3-нм класс Gate all-round Early). Начать массовый выпуск микросхем компания намерена в третьем квартале и это будут первые решения, где применяются полевые транзисторы с затвором (GAAFET).
Цель начать выпуск таких процессоров продиктована желанием Samsung улучшить технологическое лидерство за счет первого в мире массового производства процесса GAA 3-nano. Техпроцесс 3GAE от Samsung Foundry — это первый технологический процесс компании, где используются транзисторы GAA, которые Samsung официально называет многомостовыми полевыми транзисторами GAAFET.
Samsung официально представила свои узлы 3GAE и 3GAP где-то три года назад. Тогда она заявила, что этот процесс позволит повысить производительность на 30%, уменьшить энергопотребление на 50% и увеличить плотность транзисторов до 80% (включая сочетание логических транзисторов и транзисторов SRAM). Теоретически новые процессоры будут иметь целый ряд преимуществ по сравнению с однокристальными системами, созданными по технологии FinFET.
В GAA-транзисторах каналы предпочли расположить горизонтально и их окружили затворами. Каналы GAA сформированы посредством эпитаксии (наращивание одного кристалла на другом) и селективного удаления материалов, что позволяет разработчикам точно настраивать их, регулируя ширину канала транзистора. Высокая производительность достигается за счет более широких каналов, а более узкие каналы отвечают за низкую производительность. Такая точность уменьшает ток утечки транзистора (т. е. снижает энергопотребление), а также изменчивость характеристик транзистора позволяет вывести изделия на рынок за короткий срок. Кроме того, GAAFET позволить уменьшить площадь кристалла на 20–30%.
На данный момент техпроцесс 3GAE находится на ранней стадии и будет в основном использоваться подразделением Samsung LSI. Возможно, два или три крупных клиента, что позволить использовать новую технологию достаточно широко и мы увидим немало чипов, произведенных с ее помощью.
